Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
増田 啓人*; 山根 結太*; 関 剛斎*; Raab, K.*; 土肥 昂尭*; Modak, R.*; 内田 健一*; 家田 淳一; Kl
ui, M.*; 高梨 弘毅
Applied Physics Letters, 122(16), p.162402_1 - 162402_7, 2023/04
被引用回数：1 パーセンタイル：49.29(Physics, Applied)We report current-induced magnetization switching in Pt/Co/Ir/Co/Pt multilayers with different Ir layer thicknesses (
), where the perpendicularly magnetized Co layers are coupled ferromagnetically or antiferromagnetically through an interlayer exchange coupling and are sandwiched by the Pt spin Hall layers. The domain structures formed during switching vary depending on the magnetization alignment, i.e., ferromagnetically coupled or antiferromagnetically coupled configuration. These results clarify the macroscopic picture of switching process for interlayer exchange-coupled systems. The local picture of the switching process is also examined by a numerical calculation based on a macrospin model, which reveals the switching dynamics triggered by dual spin-orbit torque for both antiferromagnetically and ferromagnetically coupled cases. The numerical calculation shows that the dual spin-orbit torque from the two Pt layers effectively acts on the two Co layers not only for the antiferromagnetically coupled case but also for the ferromagnetically coupled one. Our findings deepen the under- standing of the switching mechanism in a magnetic multilayer and provide an avenue to design spintronic devices with more efficient spin-orbit torque switching.
Frost, W.*; 関 剛斎*; 窪田 崇秀*; Ramos, R.*; 齊藤 英治; 高梨 弘毅*; 廣畑 貴文*
Applied Physics Letters, 118(17), p.172405_1 - 172405_5, 2021/04
被引用回数：1 パーセンタイル：7.45(Physics, Applied)We demonstrate that the spin-Seebeck effect can be used to estimate the volume of edge domains formed in a giant magnetoresistive (GMR) device. The thermal gradient induced by Joule heating can be harnessed by the addition of a ferromagnetically insulating channel of Fe
O
on the sides of the GMR pillar. This generates a spin wave in FeO, which couples with the free-layer edge magnetization and controls the reversal of the ferromagnetic layers in one direction only, increasing the current density from 
A/cm
to 
A/cm. By simple assumption, we estimate the effect of the edge domain on magnetization reversal to be 
by spin-transfer torque.
古府 麻衣子; 梶原 孝志*; 河村 聖子; 菊地 龍弥*; 中島 健次; 松浦 直人*; 柴田 薫; 長尾 道弘*; 山室 修*
no journal, ,
単分子磁石とは、ナノスケールの単一分子が大きな磁気モーメント・磁気異方性を有し、超常磁性挙動を示す物質群のことである。Zn-Ln-Zn三核錯体(Ln=Ce, Pr, Nd)は、分子中の磁性イオンは1つのみで、f電子数の偶奇性に応じて磁気緩和挙動が大きく変化する興味深い物質である。本講演では、中性子散乱研究により明らかになった系のエネルギースキームおよび磁気緩和の全体像を示し、磁化反転メカニズムについて議論する。
小野田 浩成*; 花島 隆泰*; 武田 全康; 柳原 英人*
no journal, ,
低消費電力デバイスの開発に向け、電圧磁化反転方式の研究が盛んに行われている。電圧磁化反転方式を実現し得る候補の1つとして、電気磁気(ME)効果が挙げられる。我々は非線形ME効果が発現する新たな系として、磁気異方性主軸の異なる絶縁性強磁体2層膜におけるME効果について検討してきた。この構造では、一方の膜は垂直磁化膜で、もう一方の膜は形状磁気異方性が強く面内磁化膜となっている必要がある。そこで強磁性絶縁体の候補として、キュリー温度が室温より高く、多様な特性を示すスピネルフェライトから選択し、MgO基板上に垂直磁化膜として(Co,Fe)
O
(CFO)を20nm、その上に面内磁化膜として
-Fe
O(GFO)を30nm成膜し、磁気特性をVSM, 磁気トルク測定により評価した。本発表では、それらに加え電圧印加下におけるVSM測定と偏極中性子反射率測定を行った結果について報告する。
家田 淳一
no journal, ,
磁気構造の電気的制御は、スピントロニクスの中心的な研究課題である。現在、未開拓の磁気構造-ノンコリニア(非共線的)磁気構造-に注目が集まっている。従来のコリニア(共線的)磁性材料をベースとしたスピントロニクスに新たな展開をもたらし、既存技術における様々な制約要素を克服する試みが始まっている。その課題の一つが、これまでの磁気秩序の電気的制御では実現できない、ノンコリニア磁気構造を用いた高効率磁化反転である。電流による磁気構造の効率的な制御法として、スピンホール効果を用いた電流によるスピン注入(スピン軌道トルク)がある。本講演では、スピン軌道トルクによりノンコリニア磁気構造に生じるスピンダイナミクスを、数値計算によって解析し、磁化反転機構の特徴と磁気デバイス応用に向けた必要条件について検討する。
